近日，國家標準計劃《表面化學分析 輝光放電發射光譜方法通則》完成起草工作，正在征求意見，截止日期為2023年7月9日。該標準等同采用ISO國際標準：ISO 14707:2021，由TC38(全國微束分析標準化技術委員會)歸口，TC38SC2(全國微束分析標準化技術委員會表面化學分析分會)執行，主要起草單位為寶山鋼鐵股份有限公司。

輝光放電發射光譜法(GD-OES)是將表面剝離和元素分析相結合的薄膜材料表征技術，既可以進行體材分析，也可以進行深度剖析。GD-OES具有眾多優點，包括基體效應小、低功率、低能級激發、自吸收效應小、分析速度快且深度分辨率高、可探測所有元素(包括氫)等，因此被廣泛應用于鋼鐵和汽車表面涂層、表面抗菌、電鍍層、半導體和氣相沉積薄膜等元素成分的剖面分析。

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我國原有的GB/T 19502-2004《表面化學分析 輝光放電發射光譜方法通則》等同采用ISO國際標準：ISO 14707:2000。2021年3月12日，新的GD-OES國際標準ISO 14707:2021正式公布。為了使輝光放電發射光譜分析技術盡快與國際接軌，國家標準化管理委員會于2021年啟動《表面化學分析 輝光放電發射光譜方法通則》修訂工作，將國際標準 ISO 14707:2021 等同轉化為國家標準。

《表面化學分析 輝光放電發射光譜方法通則》討論的方法通則為剛性固體樣品的分析，不包括粉末、氣體或溶液的分析，適用于 Grimm 型光源、Marcus 型光源以及其他類型的光源。標準具體內容包括輝光放電發射光譜分析的原理、儀器組成部分、分析步驟等。

與 GB/T 19502-2004 相比較，除部分編輯性修改外，修訂后的標準內容主要技術變化如下：

——增加了原標準 4 原理中 CCD 檢測器的應用。

——修改了原標準 5.1.1 中放電電流、放電電壓、氣體流速和射頻頻率等光源參數的適用范圍。

——刪除了原標準 5.2 中使用 CCD 和 CID 檢測器的特別說明。

——增加了原標準 5.3 中 CCD 和 CID 檢測器的應用。

——增加了原標準 6.2.2 中深度剖析定量分析所選擇工作曲線樣品“應具有可測定、可再現的濺射

率”的要求。

——增加了原標準 6.2.3 中計算工作曲線函數的要求。

儀器分析的質量主要取決于如何使儀器處于最佳狀態和如何正確地使用儀器。《表面化學分析 輝光放電發射光譜方法通則》的修訂為輝光放電發射光譜分析提供了最新的指導，可以讓我國的輝光放電發射光譜分析能力與國際先進水平保持一致。

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